含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计 | |
程伟; 金智![]() ![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2007 | |
卷号 | 28期号:6页码:4,943_946 |
关键词 | Inp/ingaashbt |
ISSN号 | 0253_4177 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 为了降低InPDHBT的B—c之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考.基于文中所述的理论,对文献中的数据进行了分析,得到了令人满意的结果. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1518] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程伟,金智,于进勇,等. 含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计[J]. 半导体学报,2007,28(6):4,943_946. |
APA | 程伟,金智,于进勇,&刘新宇.(2007).含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计.半导体学报,28(6),4,943_946. |
MLA | 程伟,et al."含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计".半导体学报 28.6(2007):4,943_946. |
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