含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计

	含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计
	程伟; 金智; 于进勇; 刘新宇
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:6 页码:4,943_946
关键词	Inp／ingaashbt
ISSN号	0253_4177
产权排序	1
英文摘要	为了降低InPDHBT的B—c之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考.基于文中所述的理论,对文献中的数据进行了分析,得到了令人满意的结果.
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1518]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	程伟,金智,于进勇,等. 含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计[J]. 半导体学报,2007,28(6):4,943_946.
APA	程伟,金智,于进勇,&刘新宇.(2007).含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计.半导体学报,28(6),4,943_946.
MLA	程伟,et al."含InGaAsPInPDHBT复合式集电区结构设计".半导体学报 28.6(2007):4,943_946.