一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型

	一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型
	葛霁; 金智; 刘新宇; 程伟; 王显泰; 陈高鹏; 吴德馨
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:9 页码:5，1799-1803
关键词	碰撞电离温度依赖超高速inp基shbt Sdd模型
ISSN号	0253-4177
英文摘要	从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD（symbolically defined device）技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1868]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	葛霁,金智,刘新宇,等. 一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型[J]. 半导体学报,2008,29(9):5，1799-1803.
APA	葛霁.,金智.,刘新宇.,程伟.,王显泰.,...&吴德馨.(2008).一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型.半导体学报,29(9),5，1799-1803.
MLA	葛霁,et al."一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型".半导体学报 29.9(2008):5，1799-1803.