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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Endogenous and exogenous galectin-3 promote the adhesion of tumor cells with low expression of MUC1 to HUVECs through upregulation of N-cadherin and CD44 期刊论文 LABORATORY INVESTIGATION, 2018, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1642-1656 作者:  Cao, Zhanqi;  Hao, Zhaojun;  Xin, Ming;  Yu, Lugang;  Wang, Lei 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/11 Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Applied physics letters, 2012, 期号: 11, 页码: 113501-1-113501-4 作者:  Chongbiao Luan;  Zhaojun Lin;  Yuanjie Lv;  Lingguo Meng;  Yingxia Yu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 Polarization Coulomb field scattering in In_(0.18)Al_(0.82)N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2012, 期号: 5, 页码: 054513-1-054513-5 作者:  Chongbiao Luan;  Zhaojun Lin;  Zhihong Feng;  Lingguo Meng;  Yuanjie Lv 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23 Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 11 作者:  Luan, Chongbiao;  Lin, Zhaojun;  Lv, Yuanjie;  Meng, Lingguo;  Yu, Yingxia 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 112, 期号: 5 作者:  Luan, Chongbiao;  Lin, Zhaojun;  Feng, Zhihong;  Meng, Lingguo;  Lv, Yuanjie 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7 作者:  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Meng, Lingguo;  Luan, Chongbiao;  Cao, Zhifang 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 electron mobility  drain-to-source distance  AlGaN/GaN heterostructures  polarization Coulomb field scattering   Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 会议论文 作者:  Luan, Chongbiao;  Lin, Zhaojun;  Feng, Zhihong;  Meng, Lingguo;  Lv, Yuanjie 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 期号: 12, 页码: 123512-1-123512-3 作者:  Yuanjie Lv;  Zhaojun Lin;  Yu Zhang;  Lingguo Meng;  Chongbiao Luan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2011, 期号: 7, 页码: 074512-1-074512-6 作者:  Yuanjie Lv;  Zhaojun Lin;  Timothy D. Corrigan;  Jianzhi Zhao;  Zhifang Cao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23 Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 期号: 12, 页码: 123504-1-123504-3 作者:  Yuanjie Lv;  Zhaojun Lin;  Lingguo Meng;  Yingxia Yu;  Chongbiao Luan 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23