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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于SCR的SOI ESD保护器件研究 期刊论文 功能材料与器件学报, 2012, 期号: 1, 页码: 17-22 夏超; 王中健; 何大伟; 徐大伟; 张有为; 程新红; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/02/22 SOI ESD  SCR  Sentaurus  保护器件   采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究 期刊论文 无机材料学报, 2012, 期号: 9, 页码: 956-960 张有为; 万里; 程新红; 王中健; 夏超; 曹铎; 贾婷婷; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：100/0  |  提交时间：2013/02/22 石墨烯  原子层沉积  Al2O3薄膜   薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制 期刊论文 半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257 王中健; 夏超; 徐大伟; 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/02/22 绝缘体上硅  横向扩散金属氧化物半导体  击穿电压  线性渐变掺杂  注氧键合   一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254795A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 程新红; 张有为; 徐大伟; 王中健; 夏超; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/01/06 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254821A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 程新红; 徐大伟; 王中健; 夏超; 曹铎; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06 石墨烯纳米带的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102243990A, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16 程新红; 张有为; 徐大伟; 王中健; 夏超; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2012/01/06 沉积栅介质的方法、制备MIS电容的方法及MIS电容 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102226270A, 申请日期: 2011-10-26, 公开日期: 2011-10-26 程新红; 徐大伟; 王中健; 夏超; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/01/06 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201404A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28 程新红; 夏超; 王中健; 俞跃辉; 何大伟; 徐大伟 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/01/06 一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201405A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28 程新红; 夏超; 王中健; 俞跃辉; 何大伟; 徐大伟 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 石墨烯基场效应晶体管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102184849A, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14 程新红; 张有为; 徐大伟; 王中建; 夏超; 何大伟; 俞跃辉 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2012/01/06