一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法 | |
程新红 ; 夏超 ; 王中健 ; 俞跃辉 ; 何大伟 ; 徐大伟 | |
2011-09-28 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN102201404A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明公开了一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括:SOI衬底,位于SOI衬底上的N阱区和P阱区,位于所述N阱区之上的阳极接触端以及位于所述P阱区之上的阴极接触端,其中,所述N阱区和P阱区之间形成横向的PN结,在所述PN结之上设有场氧区。本器件可以在ESD来临时,及时的泄放ESD电流,避免栅氧击穿或者大电流流入电路内部,造成电路损伤。可以通过调节器件参数来调整器件的触发电压和维持电压,使其可以用于不同内部电压的电路保护,避免功率局部集中。能够在HBM(人体模型)中实现抗ESD电压 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2011-09-28 |
申请日期 | 2011-05-16 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 201110124788.3 |
专利代理 | 李仪萍 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48585] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,夏超,王中健,等. 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法. CN102201404A. 2011-09-28. |
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