| 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法 | |
| 程新红 ; 夏超 ; 王中健 ; 俞跃辉 ; 何大伟 ; 徐大伟 | |
| 2011-09-28 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102201404A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：SOI衬底，位于SOI衬底上的N阱区和P阱区，位于所述N阱区之上的阳极接触端以及位于所述P阱区之上的阴极接触端，其中，所述N阱区和P阱区之间形成横向的PN结，在所述PN结之上设有场氧区。本器件可以在ESD来临时，及时的泄放ESD电流，避免栅氧击穿或者大电流流入电路内部，造成电路损伤。可以通过调节器件参数来调整器件的触发电压和维持电压，使其可以用于不同内部电压的电路保护，避免功率局部集中。能够在HBM（人体模型）中实现抗ESD电压 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-09-28 |
| 申请日期 | 2011-05-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110124788.3 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48585]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,夏超,王中健,等. 一种基于SOI的ESD保护器件及其制作方法. CN102201404A. 2011-09-28. |
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