采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究

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	采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究
	张有为 ; 万里 ; 程新红 ; 王中健 ; 夏超 ; 曹铎 ; 贾婷婷 ; 俞跃辉
刊名	无机材料学报
	2012
期号	9 页码:956-960
关键词	石墨烯原子层沉积 Al2O3薄膜
ISSN号	1000-324X
中文摘要	采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
收录类别	CNKI2012-118
语种	中文
公开日期	2013-02-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111026]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张有为,万里,程新红,等. 采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究[J]. 无机材料学报,2012(9):956-960.
APA	张有为.,万里.,程新红.,王中健.,夏超.,...&俞跃辉.(2012).采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究.无机材料学报(9),956-960.
MLA	张有为,et al."采用水基原子层沉积工艺在石墨烯上沉积Al_2O_3介质薄膜研究".无机材料学报 .9(2012):956-960.