基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法 | |
程新红 ; 徐大伟 ; 王中健 ; 夏超 ; 曹铎 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 | |
2011-11-23 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN102254821A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法,该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板,在该顶层上光刻出多个硅岛,在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后,在该顶层上生长高k栅介质层,刻蚀该高k栅介质层以形成多个分别堆叠于各该硅岛上的高k栅介质岛,然后在该硅岛及高k栅介质岛上沉积电极薄膜层;最后刻蚀该电极薄膜层,以形成多个上电极及下电极,且使上电极分别堆叠于各该高k栅介质岛上、下电极形成于硅岛的表面上,以便在SOI材料上验证高k栅介质电学特性时,测量上、下电极的电容-电压特性可以不用考 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2011-11-23 |
申请日期 | 2011-07-11 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 201110192523.7 |
专利代理 | 李仪萍 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49706] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,徐大伟,王中健,等. 基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法. CN102254821A. 2011-11-23. |
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