| 石墨烯纳米带的制备方法 | |
| 程新红 ; 张有为 ; 徐大伟 ; 王中健 ; 夏超 ; 俞跃辉 | |
| 2011-11-16 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102243990A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种石墨烯纳米带的制备方法，涉及半导体材料的制备领域。在该制备方法中，首先在半导体衬底上生成过渡金属薄膜层，在该过渡金属薄膜层上涂覆光刻胶以形成光刻胶层并对其烘干后，藉由一预设有版图的光掩膜对所述光刻胶层曝光，之后显影、烘干，以便在所述光刻胶层上形成与所述版图相对应的图形。接着使碳离子经由所述图形注入至所述过渡金属薄膜层中后，去除所述光刻胶层并清洗所述过渡金属薄膜层表面。最后对所述过渡金属薄膜层进行退火处理，以使碳原子从所述过渡金属薄膜层中析出重构，即可制备出石墨烯纳米带。根据本发明的制备方法 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-11-16 |
| 申请日期 | 2011-06-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110168562.3 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49698]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,张有为,徐大伟,等. 石墨烯纳米带的制备方法. CN102243990A. 2011-11-16. |
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