| 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法 | |
| 程新红 ; 张有为 ; 徐大伟 ; 王中健 ; 夏超 ; 俞跃辉 | |
| 2011-11-23 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN102254795A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳离子注入区域；碳离子注入的注入角度是根据所需石墨烯宽度结合光刻胶层的掩膜厚度以及光刻胶图形的宽度计算得到的；去除光刻胶层；进行热退火处理，将碳原子从碳离子注入区域中析出重构，在过渡金属基底表面形成宽度接近甚至小于10nm的一维尺度受限的石墨烯纳米带。相比于现有技术，本发明通过计算以特定的注 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2011-11-23 |
| 申请日期 | 2011-06-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110174062.0 |
| 专利代理 | 李仪萍 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49704]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程新红,张有为,徐大伟,等. 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法. CN102254795A. 2011-11-23. |
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