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| SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超
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| Characterization of bonded silicon-on-aluminum-nitride wafers with RBS, TEM and HRXRD techniques 期刊论文 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 8, 页码: 1807-1810 Men, CL; Lin, CL
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| 离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜 期刊论文 半导体技术, 2006, 期号: 03 陶凯; 俞跃辉; 郑智宏; 邹世昌
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| 电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性 期刊论文 功能材料与器件学报, 2003, 期号: 04 宋朝瑞; 俞跃辉; 邹世昌; 张福民; 王曦
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| SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延 期刊论文 半导体学报, 2001, 期号: 10 韩永召; 李炳宗; 茹国平; 屈新萍; 曹永峰; 徐蓓蕾; 蒋玉龙; 王连卫; 张荣耀; 朱剑豪
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| 氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响 期刊论文 功能材料与器件学报, 2001, 期号: 01 王向晖; 张峰; 李昌荣; 郑志宏; 陈莉芝; 王惠民; 柳襄怀
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| 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究 期刊论文 功能材料与器件学报, 2001, 期号: 04 刘卫丽; 多新中; 张苗; 沈勤我; 王连卫; 林成鲁
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| 氮离子注入金刚石薄膜的研究 期刊论文 中国科学E辑:技术科学, 1997, 期号: 03 辛火平; 林成鲁; 王建新; 邹世昌; 石晓红; 林梓鑫; 周祖尧; 刘祖刚
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| 一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离 期刊论文 半导体学报, 1997, 期号: 09 竺士场; 张苗; 林成鲁; 黄宜平; 吴东平; 李金华
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| SIMOX结构退化的卢瑟福背散射研究 期刊论文 微细加工技术, 1996, 期号: 03 蒋美萍; 李金华; 林成鲁
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