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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利 专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18 作者:  刘刚;  刘梦新;  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/04/01 多次可编程半导体器件及其制造方法 专利 申请日期: 2012-09-05, 作者:  钟汇才;  梁擎擎;  朱慧珑 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/06/13 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 专利 专利号: CN200810116043.0, 申请日期: 2012-03-21, 公开日期: 2010-01-06 作者:  韩郑生;  毕津顺;  宋文斌 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 专利 专利号: CN200710179354.7, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2009-06-17 作者:  赵超荣;  刘梦新;  韩郑生;  刘刚 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 304-306 作者:  韩郑生;  海潮和;  赵洪辰;  钱鹤 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 总剂量辐照  寄生双极晶体管  绝缘体上硅   一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法 专利 专利号: CN200610104117.X, 公开日期: 2008-02-06 作者:  吴俊峰;  韩郑生;  毕津顺;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26