辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响

	辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响
	韩郑生; 海潮和; 赵洪辰; 钱鹤
刊名	固体电子学研究与进展
	2006
卷号	26 期号:3 页码:304-306
关键词	总剂量辐照寄生双极晶体管绝缘体上硅
ISSN号	1000-3819
产权排序	1
英文摘要	在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后，器件的正栅亚阈值特性无明显变化，背栅亚阈值特性发生平移，但均未发生漏电，说明其抗辐照性能超过1E6rad（Si）。辐照后器件的寄生双极晶体管增益有所增大，并且与背栅阈值电压的变化趋势相似，可能是由于埋氧化层中的正电荷积累使体区电位升高，提高了发射极的发射效率。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1354]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	韩郑生,海潮和,赵洪辰,等. 辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(3):304-306.
APA	韩郑生,海潮和,赵洪辰,&钱鹤.(2006).辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响.固体电子学研究与进展,26(3),304-306.
MLA	韩郑生,et al."辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响".固体电子学研究与进展 26.3(2006):304-306.