辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响 | |
韩郑生![]() | |
刊名 | 固体电子学研究与进展
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2006 | |
卷号 | 26期号:3页码:304-306 |
关键词 | 总剂量辐照 寄生双极晶体管 绝缘体上硅 |
ISSN号 | 1000-3819 |
产权排序 | 1 |
英文摘要 | 在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后,器件的正栅亚阈值特性无明显变化,背栅亚阈值特性发生平移,但均未发生漏电,说明其抗辐照性能超过1E6rad(Si)。辐照后器件的寄生双极晶体管增益有所增大,并且与背栅阈值电压的变化趋势相似,可能是由于埋氧化层中的正电荷积累使体区电位升高,提高了发射极的发射效率。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-05-26 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1354] ![]() |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,海潮和,赵洪辰,等. 辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响[J]. 固体电子学研究与进展,2006,26(3):304-306. |
APA | 韩郑生,海潮和,赵洪辰,&钱鹤.(2006).辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响.固体电子学研究与进展,26(3),304-306. |
MLA | 韩郑生,et al."辐照对SOI NMOS寄生双极晶体管的影响".固体电子学研究与进展 26.3(2006):304-306. |
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