一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法

	一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法
	吴俊峰; 韩郑生; 毕津顺; 海潮和
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200610104117.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种高击穿电压SOI器件结构，包括SOI衬底(3)，埋氧层(2)，形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管，所述晶体管包括栅电极(30)，栅氧化层(31)，漏电极(10)，源电极(50)背栅沟道(60)，以及位于漏电极(10)与源电极(50)之间且位于背栅沟道(60)两侧的体区(53)。本发明同时公开了一种高击穿电压SOI器件结构的制备方法。利用本发明，有效地提高了SOI器件的击穿电压，同时不明显增大SOI 器件背栅沟道漏电流，保持SOI器件良好的背栅特性，而且该高击穿电压 SOI器件结构的制备工艺与通常CMOS工艺兼容，适用于商业化生产，非常有利于本发明的推广和应用。
公开日期	2008-02-06
申请日期	2006-07-31
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8096]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴俊峰,韩郑生,毕津顺,等. 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法. CN200610104117.X.