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科研机构
北京大学 [15]
内容类型
期刊论文 [9]
其他 [6]
发表日期
2009 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [4]
2004 [3]
2003 [1]
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软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用
其他
2009-01-01
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/12
软击穿 微分电导 缺陷带 缺陷能级 超薄栅氧化层 金属氧化物半导体
超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变
其他
2007-01-01
谭长华
;
许铭真
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/12
二氧化硅薄膜 电学性能 击穿效应 模拟分析
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质
期刊论文
半导体学报, 2006
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
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浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/12
超薄SiO2 软击穿 I-V饱和特性
硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质
期刊论文
半导体学报, 2005
许晓燕
;
程行之
;
黄如
;
张兴
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/11
超薄栅介质 氮离子注入 击穿特性 ultrathin gate dielectric nitrogen implantation breakdown
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究
其他
2005-01-01
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
;
何燕冬
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
超薄SiO2
软击穿
栅电流
饱和性质
I-V特性
电子速度饱和
比例差值方法
关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究
其他
2005-01-01
谭长华
;
许铭真
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
SiO2
软击穿
电流路径
微观几何结构
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
期刊论文
物理学报, 2005
王彦刚
;
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层
soft breakdown
gate current
Fowler
Nordheim-like tunneling
ultra-thin gate oxide
HfO2高K栅介质薄膜的电学特性研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004
韩德栋
;
康晋锋
;
刘晓彦
;
韩汝琦
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/11
高介电常数栅介质
二氧化铪薄膜
电学特性
多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
期刊论文
半导体学报, 2004
谭静荣
;
许晓燕
;
黄如
;
程行之
;
张兴
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/12
注氮 应力诱生泄漏电流 电介质击穿
超薄SiO2栅介质厚度提取与分析
期刊论文
半导体学报, 2004
谭静荣
;
许晓燕
;
黄如
;
程行之
;
张兴
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度
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