多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质

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	多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质; Effects of Nitrogen Implantation into Poly-Silicon Gate on 4.6nm Gate Oxide Properties
	谭静荣 ; 许晓燕 ; 黄如 ; 程行之 ; 张兴
刊名	半导体学报
	2004
关键词	注氮应力诱生泄漏电流电介质击穿
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.020
英文摘要	为了改善深亚微米CMOS器件p+-poly栅中硼扩散问题,通过选择合适的注氮能量和剂量,采用多晶硅栅注氮工艺,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数,又在栅介质内引入浓度适宜的氮,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电压漂移,改善了Si/SiO2界面质量,提高了栅介质和器件的可靠性,制备出了性能良好的4.6nm超薄栅介质.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 2; 227-231; 25
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/244570]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	谭静荣,许晓燕,黄如,等. 多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质, Effects of Nitrogen Implantation into Poly-Silicon Gate on 4.6nm Gate Oxide Properties[J]. 半导体学报,2004.
APA	谭静荣,许晓燕,黄如,程行之,&张兴.(2004).多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质.半导体学报.
MLA	谭静荣,et al."多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质".半导体学报 (2004).