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超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变
谭长华 ; 许铭真
2007
关键词二氧化硅薄膜 电学性能 击穿效应 模拟分析
英文摘要采用SiO2的缺陷带模型解释电应力击穿SiO2薄膜由软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的电流突变。结果表明,当击穿通道上的缺陷原子的距离达到临界距离时,SiO2由具有低势垒的绝缘体,转变成Mott-Like缺陷导体,由此形成了软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的I-V特性的突变。; 0
语种中文
内容类型其他
源URL[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/282019]  
专题信息科学技术学院
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GB/T 7714
谭长华,许铭真. 超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变. 2007-01-01.
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