超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变 | |
谭长华 ; 许铭真 | |
2007 | |
关键词 | 二氧化硅薄膜 电学性能 击穿效应 模拟分析 |
英文摘要 | 采用SiO2的缺陷带模型解释电应力击穿SiO2薄膜由软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的电流突变。结果表明,当击穿通道上的缺陷原子的距离达到临界距离时,SiO2由具有低势垒的绝缘体,转变成Mott-Like缺陷导体,由此形成了软击穿(SBD)到硬击穿(HBD)的I-V特性的突变。; 0 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/282019] ![]() |
专题 | 信息科学技术学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭长华,许铭真. 超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变. 2007-01-01. |
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