超薄SiO2栅介质厚度提取与分析

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	超薄SiO2栅介质厚度提取与分析; Extraction of Ultra-Thin Gate Oxide Thickness
	谭静荣 ; 许晓燕 ; 黄如 ; 程行之 ; 张兴
刊名	半导体学报
	2004
关键词	超薄栅介质量子效应多晶硅耗尽效应栅氧厚度
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.022
英文摘要	在分析半经典模型和量子模型的基础上,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型.栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好.; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 国家自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 10; 1306-1310; 25
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/240419]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	谭静荣,许晓燕,黄如,等. 超薄SiO2栅介质厚度提取与分析, Extraction of Ultra-Thin Gate Oxide Thickness[J]. 半导体学报,2004.
APA	谭静荣,许晓燕,黄如,程行之,&张兴.(2004).超薄SiO2栅介质厚度提取与分析.半导体学报.
MLA	谭静荣,et al."超薄SiO2栅介质厚度提取与分析".半导体学报 (2004).