硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质

doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.009

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质; Fabrication of Ultrathin SiO2 Gate Dielectric by Direct Nitrogen Implantation into Silicon Substrate
	许晓燕 ; 程行之 ; 黄如 ; 张兴
刊名	半导体学报
	2005
关键词	超薄栅介质氮离子注入击穿特性 ultrathin gate dielectric nitrogen implantation breakdown
DOI	10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.009
英文摘要	利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得3.4nm厚的SiO2栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N+注入后在Si/SiO2中的分布及热退火对该分布的影响;考察了不同注氮剂量对栅氧化速率的影响.对MOS电容样品的I-V特性,恒流应力下的Qbd,SILC及C-V特性进行了测试,分析了不同氧化工艺条件下栅介质的性能.实验结果表明:注氮后的热退火过程会使氮在Si/SiO2界面堆积;硅衬底内注入的氮的剂量越大,对氧化速率的抑制作用越明显;高温栅氧化前进行低温预氧化的注氮样品较不进行该工艺步骤的注氮样品具有更低的低场漏电流和更小的SILC电流密度,但二者恒流应力下的Qbd值及高频C-V特性相近.; 国家自然科学基金; 国家重点基础研究发展计划(973计划); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 0; 2; 266-270; 26
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/222850]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	许晓燕,程行之,黄如,等. 硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质, Fabrication of Ultrathin SiO2 Gate Dielectric by Direct Nitrogen Implantation into Silicon Substrate[J]. 半导体学报,2005.
APA	许晓燕,程行之,黄如,&张兴.(2005).硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质.半导体学报.
MLA	许晓燕,et al."硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质".半导体学报 (2005).