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	关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究
	谭长华 ; 许铭真
	2005
关键词	SiO2 软击穿 电流路径 微观几何结构
英文摘要	软击穿(SBD)效应是5nm以下的SiO2主要失效模式.于是,软击穿就成为现代超薄绝缘栅集成电路的关键可靠性问题之一.本文主要研究了SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构。; 0
语种	中文
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185606]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	谭长华,许铭真. 关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究. 2005-01-01.

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