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半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 563-566
作者:
张杨
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浏览/下载:130/25
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提交时间:2010/11/23
基于共振隧穿二极管的集成电路研究
期刊论文
电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 627-634
马龙
;
杨富华
;
王良臣
;
余洪敏
;
黄应龙
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/11/23
RTD与PHEMT集成的几个关键工艺
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 390-394
王建林
;
刘忠立
;
王良臣
;
曾一平
;
杨富华
;
白云霞
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浏览/下载:128/3
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提交时间:2010/11/23
能级填充对量子阱光学性质的影响
期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 4334-4340
作者:
谭平恒
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
利用Γ-X混合在AlAs/GaAs异质结构实现光生电子、空穴对的持久存储
期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 361-364
彭进
;
胡冰
;
胡承勇
;
卞松保
;
杨富华
;
郑厚植
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浏览/下载:130/0
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提交时间:2010/11/23
弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875
作者:
成步文
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
期刊论文
物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466
彭英才
;
徐刚毅
;
何宇亮
;
刘明
;
李月霞
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析
期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 583
彭英才
;
刘明
;
余明斌
;
李月霞
;
奚中和
;
何宇亮
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究
期刊论文
发光学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 228
作者:
徐波
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
单电子效应与单电子晶体管
期刊论文
物理, 1995, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 391
夏建白
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/11/23
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