RTD与PHEMT集成的几个关键工艺 | |
王建林 ; 刘忠立 ; 王良臣 ; 曾一平 ; 杨富华 ; 白云霞 | |
刊名 | 半导体学报
![]() |
2005 | |
卷号 | 26期号:2页码:390-394 |
中文摘要 | 在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs=0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础. |
英文摘要 | 在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs=0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4555.pdf: 331440 bytes, checksum: b2c5ddb526c254bfbfdb54997ef6a380 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究专项经费,中国科学院特别支持资助项目; 中国科学院半导体研究所,微电子研发中心;中国科学院半导体研究所,光电子研发中心;中国科学院半导体研究所,新材料部;中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 微电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家重点基础研究专项经费,中国科学院特别支持资助项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17131] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王建林,刘忠立,王良臣,等. RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J]. 半导体学报,2005,26(2):390-394. |
APA | 王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,&白云霞.(2005).RTD与PHEMT集成的几个关键工艺.半导体学报,26(2),390-394. |
MLA | 王建林,et al."RTD与PHEMT集成的几个关键工艺".半导体学报 26.2(2005):390-394. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论