RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

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	RTD与PHEMT集成的几个关键工艺
	王建林 ; 刘忠立 ; 王良臣 ; 曾一平 ; 杨富华 ; 白云霞
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:2 页码:390-394
中文摘要	在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.
英文摘要	在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性.测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm.这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4555.pdf: 331440 bytes, checksum: b2c5ddb526c254bfbfdb54997ef6a380 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究专项经费,中国科学院特别支持资助项目; 中国科学院半导体研究所,微电子研发中心;中国科学院半导体研究所,光电子研发中心;中国科学院半导体研究所,新材料部;中国科学院半导体研究所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究专项经费,中国科学院特别支持资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17131]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王建林,刘忠立,王良臣,等. RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J]. 半导体学报,2005,26(2):390-394.
APA	王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,&白云霞.(2005).RTD与PHEMT集成的几个关键工艺.半导体学报,26(2),390-394.
MLA	王建林,et al."RTD与PHEMT集成的几个关键工艺".半导体学报 26.2(2005):390-394.