(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究 | |
彭英才 ; 徐刚毅 ; 何宇亮 ; 刘明 ; 李月霞 | |
刊名 | 物理学报
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2000 | |
卷号 | 49期号:12页码:2466 |
中文摘要 | 采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H_2稀释的SiH_4作为反应气体源和PH_3作为磷原子的参杂剂,在p型(100)单晶硅C(p)c-Si)衬底上,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜C(n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si;H/(p)c-Si异质结,并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性。结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性。正向偏压下,该异质结的电流输运机理为复合-隧穿模型。当正向偏压V_F<0.8V时,电流输运过程由复合机理所支配;而当V_F>1.0V时由隧穿机理决定。反向偏压下,该异质结具有良好的反向击穿持性。 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18243] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才,徐刚毅,何宇亮,等. (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究[J]. 物理学报,2000,49(12):2466. |
APA | 彭英才,徐刚毅,何宇亮,刘明,&李月霞.(2000).(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究.物理学报,49(12),2466. |
MLA | 彭英才,et al."(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究".物理学报 49.12(2000):2466. |
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