高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析

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	高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析
	张杨
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:4 页码:563-566
中文摘要	在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.
英文摘要	在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4070.pdf: 526107 bytes, checksum: db9df01c5027f636d377dde9f324ea90 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家高技术研究发展计划资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16313]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	张杨. 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析[J]. 半导体学报,2007,28(4):563-566.
APA	张杨.(2007).高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析.半导体学报,28(4),563-566.
MLA	张杨."高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析".半导体学报 28.4(2007):563-566.