nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

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	nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析
	彭英才 ; 刘明 ; 余明斌 ; 李月霞 ; 奚中和 ; 何宇亮
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:8 页码:583
中文摘要	采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿。
英文摘要	采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:11导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5684.pdf: 449088 bytes, checksum: 61d7250364e2502d2ef87f0630b2f562 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家自然科学基金,河北省自然科学基金; 河北大学电子与信息工程系;北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室;中科院半导体所;北京大学无线电电子学系
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,河北省自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19201]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	彭英才,刘明,余明斌,等. nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J]. 半导体学报,1998,19(8):583.
APA	彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,&何宇亮.(1998).nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析.半导体学报,19(8),583.
MLA	彭英才,et al."nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析".半导体学报 19.8(1998):583.