弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱

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	弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
	成步文
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:7 页码:875
中文摘要	采用UHV/CVD系统，在Si衬底上生长了具有渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层结构的弛豫Si_(0.76)Ge_(0.24)虚衬底和5个周期的Si_(0.76)Ge_(0.24)/Si多量子阱。在渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层生长过程中引入原位退火，消除了残余应力，抑制了后续生长的SiGe中的位错成核。透射电子显微照片显示，位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内，而SiGe上层和SiGe/Si量子阱是无位错的。在样品的PL谱中，观察到跃迁能量为0.961eV的Ⅱ型量子阱的无声子参与(NP)发光峰。由于Ⅱ型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置，较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重。NP峰随激发功率增加向高能方向移动，在一定激发条件下，电子跃迁或隧穿至弛豫SiGe层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光，所以NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小。
英文摘要	采用UHV/CVD系统，在Si衬底上生长了具有渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层结构的弛豫Si_(0.76)Ge_(0.24)虚衬底和5个周期的Si_(0.76)Ge_(0.24)/Si多量子阱。在渐变Si_(1-x)Ge_x缓冲层生长过程中引入原位退火，消除了残余应力，抑制了后续生长的SiGe中的位错成核。透射电子显微照片显示，位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内，而SiGe上层和SiGe/Si量子阱是无位错的。在样品的PL谱中，观察到跃迁能量为0.961eV的Ⅱ型量子阱的无声子参与(NP)发光峰。由于Ⅱ型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置，较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重。NP峰随激发功率增加向高能方向移动，在一定激发条件下，电子跃迁或隧穿至弛豫SiGe层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光，所以NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5378.pdf: 375387 bytes, checksum: 860de1b2cdfbc0ccc14b41d8cf0caf5e (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18661]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	成步文. 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱[J]. 半导体学报,2001,22(7):875.
APA	成步文.(2001).弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱.半导体学报,22(7),875.
MLA	成步文."弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱".半导体学报 22.7(2001):875.