能级填充对量子阱光学性质的影响 | |
谭平恒![]() | |
刊名 | 物理学报
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2004 | |
卷号 | 53期号:12页码:4334-4340 |
中文摘要 | 在特殊设计的三势垒双势阱结构中,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用.在极低偏压下,量子阱中少量过剩电子诱发了用简单带-带跃迁无法解释的光致发光光谱行为.…… |
英文摘要 | 在特殊设计的三势垒双势阱结构中,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用.在极低偏压下,量子阱中少量过剩电子诱发了用简单带-带跃迁无法解释的光致发光光谱行为.……; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:41导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4647.pdf: 455077 bytes, checksum: e5a51f644b63c10a3d1c036bc869a15a (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重点基础研究专项基金,国家高技术研究发展计划; 四川大学物理科学与技术学院;中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家重点基础研究专项基金,国家高技术研究发展计划 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17261] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭平恒. 能级填充对量子阱光学性质的影响[J]. 物理学报,2004,53(12):4334-4340. |
APA | 谭平恒.(2004).能级填充对量子阱光学性质的影响.物理学报,53(12),4334-4340. |
MLA | 谭平恒."能级填充对量子阱光学性质的影响".物理学报 53.12(2004):4334-4340. |
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