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科研机构
西安光学精密机械研... [51]
微电子研究所 [1]
内容类型
专利 [52]
发表日期
2015 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2007 [1]
2005 [1]
2003 [1]
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半导体存储单元、器件及其制备方法
专利
专利号: US8927963, 申请日期: 2015-01-06, 公开日期: 2012-03-18
作者:
霍宗亮
;
刘明
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2017/05/24
Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer
专利
专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16
作者:
BOUR, DAVID P.
;
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
JOHNSON, NOBLE M.
;
YANG, ZHIHONG
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/26
Tunnel magnetic recording element, magnetic memory cell, and magnetic random access memory
专利
专利号: WO2010100678A1, 申请日期: 2010-09-10, 公开日期: 2010-09-10
作者:
HAYAKAWA, JUN
;
YAMANOUCHI, MICHIHIKO
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/31
Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed
专利
专利号: US7257143, 申请日期: 2007-08-14, 公开日期: 2007-08-14
作者:
JOHNSON, RALPH H.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed
专利
专利号: US20050129078A1, 申请日期: 2005-06-16, 公开日期: 2005-06-16
作者:
JOHNSON, RALPH H.
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/01/18
Compound semiconductor light emitting device and process for producing the same
专利
专利号: US6562649, 申请日期: 2003-05-13, 公开日期: 2003-05-13
作者:
MUNAKATA, TSUTOMU
;
KASHIMA, YASUMASA
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ装置又は光導波路およびその製造方法
专利
专利号: JP2969939B2, 申请日期: 1999-08-27, 公开日期: 1999-11-02
作者:
大塚 信之
;
石野 正人
;
松井 康
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor light emitting device
专利
专利号: US5900642, 申请日期: 1999-05-04, 公开日期: 1999-05-04
作者:
NAKATSU, HIROSHI
;
NAKAMURA, JUN-ICHI
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法
专利
专利号: JP2839696B2, 申请日期: 1998-10-16, 公开日期: 1998-12-16
作者:
田中 明
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提交时间:2020/01/18
Radiation-emitting semiconductor diode, and method of manufacturing such a diode
专利
专利号: EP0846342A1, 申请日期: 1998-06-10, 公开日期: 1998-06-10
作者:
DE POORTER, JOHANNES, ANTONIUS
;
VALSTER, ADRIAN
;
BROUWER, ARNOUD, ADRIANUS
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提交时间:2020/01/18
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