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| HBT工艺中介质平面平坦化的方法 专利
专利号: CN200810104228.X, 申请日期: 2012-01-25, 公开日期: 2009-10-21
作者: 金智 ; 刘新宇
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| 一种InP HBT器件侧墙的制备方法 专利
专利号: CN102244003A, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2011-11-16
作者: 金智; 王显泰; 郭建楠; 苏永波
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| 功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法 专利
申请日期: 2011-11-03, 公开日期: 2012-11-19
作者: 刘宇辙; 杨洪文; 阎跃鹏; 张韧
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| 一种用于监控介质平坦化过程的方法 专利
专利号: CN200810104224.1, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2009-10-21
作者: 刘新宇; 金智
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| 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法 专利
专利号: CN200710178316.X, 申请日期: 2010-01-13, 公开日期: 2009-06-03
作者: 程伟; 于进勇; 刘新宇; 金智; 夏洋
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| 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 专利
专利号: CN101621027, 申请日期: 2010-01-06, 公开日期: 2010-01-06
作者: 金智; 王显泰
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| 一种制作T型HBT发射极/HEMT栅的方法 专利
专利号: CN200710117615.2, 公开日期: 2008-12-24
作者: 程伟; 夏洋; 于进勇; 金智; 刘新宇
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| 亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法 专利
专利号: CN200710117614.8, 公开日期: 2008-12-24
作者: 程伟; 夏洋; 于进勇; 金智; 刘新宇
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| 磷化铟异质结双极型晶体管自对准发射极的制作方法 专利
专利号: CN200610089346.9, 公开日期: 2007-12-26
作者: 刘新宇; 于进勇; 夏洋
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| 一种制作异质结双极型晶体管的方法 专利
专利号: CN200710178322.5, 公开日期: 2009-06-03
作者: 金智; 于进勇; 刘新宇; 程伟; 夏洋
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