一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法

	一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法
	程伟; 于进勇; 刘新宇; 金智; 夏洋
	2010-01-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710178316.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，包括：在制作的亚微米HBT发射极金属/HEMT栅金属之上制作牺牲介质层，并剥离形成带有牺牲介质层的HBT发射极金属/HEMT栅金属；在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上涂平坦化材料，使基片表面平坦；刻蚀所述平坦化材料，暴露所述牺牲介质层；移除牺牲介质层，暴露需要互联的金属；清洗后，光刻、蒸发，制作金属互联。利用本发明，提高了引出的可靠性和稳定性，降低了工艺的复杂度。
公开日期	2009-06-03
申请日期	2007-11-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7720]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	程伟,于进勇,刘新宇,等. 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法. CN200710178316.X. 2010-01-13.