HBT工艺中介质平面平坦化的方法 | |
金智; 刘新宇 | |
2012-01-25 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200810104228.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明一种异质结双极性晶体管(HBT)工艺中介质平面平坦化 的方法,包括:A.在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属 蒸发、基极和集电极腐蚀、隔离腐蚀,以及基极和集电极接线柱制作 的基础上,旋涂介质层;B.在高温下进行介质固化;C.将基片放在 等离子体下,用干法刻蚀介质,直到露出发射极金属顶面和接线柱;D. 在介质表面旋涂光刻胶;E.光刻、显影,形成布线图形;F.蒸发布 线金属;G.进行布线金属的剥离。利用本发明,能有效提高器件的成 品率,避免微空气桥制作中的不稳定性,对提高器件性能的一致性有 很大的作用。 |
公开日期 | 2009-10-21 |
申请日期 | 2008-04-16 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/7548] |
专题 | 微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 金智,刘新宇. HBT工艺中介质平面平坦化的方法. CN200810104228.X. 2012-01-25. |
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