采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法

	采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法
	金智; 王显泰
	2010-01-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN101621027
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。本发明对需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制作高质量的变容二极管。
公开日期	2010-01-06
申请日期	2008-07-02
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7520]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金智,王显泰. 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法. CN101621027. 2010-01-06.