一种InP HBT器件侧墙的制备方法

	一种InP HBT器件侧墙的制备方法
	金智; 王显泰; 郭建楠; 苏永波
	2011-11-16
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN102244003A
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及半导体工艺技术领域半导体器件侧墙工艺的一种制备方法，所述方法包括：在InP HBT外延片发射极材料上光刻；在所述光刻完的外延片上蒸发射极金属；在所述蒸完发射极金属的外延片上采用剥离工艺去除光刻胶；对所述外延片InGaAs盖帽层进行腐蚀；对所述外延片的InP发射极层进行腐蚀，形成发射极台面；在所述发射极台面侧面生长一层保护介质；对所述保护介质进行腐蚀，形成发射极台面侧墙。
公开日期	2011-11-16
申请日期	2011-06-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/9843]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金智,王显泰,郭建楠,等. 一种InP HBT器件侧墙的制备方法. CN102244003A. 2011-11-16.