| 功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法 | |
| 刘宇辙; 杨洪文; 阎跃鹏; 张韧 | |
| 2011-11-03 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种提供GaAs HBT功放管稳定性的方法及功放管电路，在功放管的输入端分成射频输入通路和直流输入通路，射频输入通路加入电阻R1和电容C1组成的并联稳定电路，直流输入通路加入电阻R2，和功放管T1一起构成完整的功放管电路，可以有效的提高功放管的热稳定性和电稳定性。 |
| 公开日期 | 2012-11-19 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9563]  |
| 专题 | 微电子研究所_智能感知研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘宇辙,杨洪文,阎跃鹏,等. 功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法. 2011-11-03. |
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