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周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194
作者:  曲胜春;  刘孔
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/07/17
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性 期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:  王保柱
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/23
带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:  赵强
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23
在复合衬底γ-Al2O3／Si（001）上生长GaN 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2378-2384
作者:  刘喆;  王俊;  王俊;  肖红领
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1647-1651
作者:  金鹏;  徐波
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23
厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1652-1657
作者:  王晓峰
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23
ne-Si:H薄膜的内应力特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 285-290
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和相; 丁琨
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23
分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别 期刊论文
物理学报, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376
作者:  Wang J
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23
半导体纳米结构的可控生长 期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 208-217
王占国
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23
热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 1178-1181
作者:  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23

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