MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性

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	MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
	王保柱
刊名	光电子·激光
	2009
卷号	20 期号:11 页码:1454-1457
中文摘要	采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱(MQWs)结构.通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和阴极荧光(CL)等测试技术,分别对样品的结构和光学特性进行了表征.在DCXRD图谱中,可以观察到明显的MQWs衍射卫星峰,通过拟和,MQWs结构中阱和垒的厚度分别为2.1和9.4 nm,Al组分分别为0.48和0.54.在AFM表面形貌图上,可以观察到清晰的台阶流,表明MQWs获得了二维生长;与此同时,MQWs结构存在一些裂缝,主要原因为AlGaNMQWs结构和下层GaN层间存在很大的应力.CL测试表明,AlGaN MQWs结构的发光波长为295 nm,处于深紫外波段,同时观察到处于蓝光、绿光波段的缺陷发光.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,河北省教育厅基金,河北科技大学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15633]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王保柱. MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性[J]. 光电子·激光,2009,20(11):1454-1457.
APA	王保柱.(2009).MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性.光电子·激光,20(11),1454-1457.
MLA	王保柱."MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性".光电子·激光 20.11(2009):1454-1457.