半导体纳米结构的可控生长 | |
王占国 | |
刊名 | 人工晶体学报
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2002 | |
卷号 | 31期号:3页码:208-217 |
中文摘要 | 应用MBE技术和SK生长模式,通过对研究材料体系的应力分布设计,生长动力学研究和生长工艺优化,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点(线)的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长,这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。 |
英文摘要 | 应用MBE技术和SK生长模式,通过对研究材料体系的应力分布设计,生长动力学研究和生长工艺优化,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点(线)的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长,这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5034.pdf: 646472 bytes, checksum: c80677e7d141dfae3de451d9e18db4a0 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家基础研究规划项目(G2 683 ); 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家基础研究规划项目(G2 683 ) |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17975] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王占国. 半导体纳米结构的可控生长[J]. 人工晶体学报,2002,31(3):208-217. |
APA | 王占国.(2002).半导体纳米结构的可控生长.人工晶体学报,31(3),208-217. |
MLA | 王占国."半导体纳米结构的可控生长".人工晶体学报 31.3(2002):208-217. |
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