半导体纳米结构的可控生长

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	半导体纳米结构的可控生长
	王占国
刊名	人工晶体学报
	2002
卷号	31 期号:3 页码:208-217
中文摘要	应用MBE技术和SK生长模式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学研究和生长工艺优化，实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点（线）的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长，这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。
英文摘要	应用MBE技术和SK生长模式，通过对研究材料体系的应力分布设计，生长动力学研究和生长工艺优化，实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点（线）的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长，这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5034.pdf: 646472 bytes, checksum: c80677e7d141dfae3de451d9e18db4a0 (MD5) Previous issue date: 2002; 国家基础研究规划项目（G2 683 ）; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家基础研究规划项目（G2 683 ）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17975]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王占国. 半导体纳米结构的可控生长[J]. 人工晶体学报,2002,31(3):208-217.
APA	王占国.(2002).半导体纳米结构的可控生长.人工晶体学报,31(3),208-217.
MLA	王占国."半导体纳米结构的可控生长".人工晶体学报 31.3(2002):208-217.