分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

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	分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别
	Wang J
刊名	物理学报
	2002
卷号	51 期号:2 页码:372-376
中文摘要	应用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究分子束外延（MBE）生长的high electron mobility transistors （HEMT）和Pseudomorphic high electron mobility transistors （P-HEMT）结构深中心行为。样品的DLTS谱表明，在HEMT和P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度（10~(15)-10~(17)cm~(-3)）和俘获截面（10~(-16)cm~2）的近禁带中部电子争阱。它们可能与AlGaAs层的氧含量有关。同时还观察到P-HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs/InGaAs/GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心（与硅有关）能级位置的有序移动。其移动量可作为应力大小的一个判据，表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具。
英文摘要	应用深能级瞬态谱（DLTS）技术研究分子束外延（MBE）生长的high electron mobility transistors （HEMT）和Pseudomorphic high electron mobility transistors （P-HEMT）结构深中心行为。样品的DLTS谱表明，在HEMT和P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度（10~(15)-10~(17)cm~(-3)）和俘获截面（10~(-16)cm~2）的近禁带中部电子争阱。它们可能与AlGaAs层的氧含量有关。同时还观察到P-HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs/InGaAs/GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心（与硅有关）能级位置的有序移动。其移动量可作为应力大小的一个判据，表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4991.pdf: 369502 bytes, checksum: 1007c3bcb0f2ac36d0a4d3f0603d525e (MD5) Previous issue date: 2002; 国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学资助项目（批准号：HKUST6135/97P）资助的课题; 中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学资助项目（批准号：HKUST6135/97P）资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17889]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang J. 分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别[J]. 物理学报,2002,51(2):372-376.
APA	Wang J.(2002).分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别.物理学报,51(2),372-376.
MLA	Wang J."分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别".物理学报 51.2(2002):372-376.