利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点

	利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
	金鹏; 徐波
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:12 页码:1647-1651
中文摘要	在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17319]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	金鹏,徐波. 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点[J]. 半导体学报,2004,25(12):1647-1651.
APA	金鹏,&徐波.(2004).利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点.半导体学报,25(12),1647-1651.
MLA	金鹏,et al."利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点".半导体学报 25.12(2004):1647-1651.