热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进

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	热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进
	王俊; 王俊
刊名	半导体学报
	2002
卷号	23 期号:11 页码:1178-1181
中文摘要	采用高真空MOCVD外延技术，利用TMA（Al(CH_3)_3）和O_2作为反应源，在Si(100)衬底上外延生长γ－Al_2O_3绝缘膜形成γ-Al_2O_3/Si异质结构材料。同时，引入外延后退火工艺以便改善γ-Al_2O_3薄膜的晶体质量及电学性能。测试结果表明，通过在O_2常压下的退火工艺可以有效地消除γ－Al_2O_3外延层的残余热应力及孪晶缺陷，改善外延层的晶体质量，同时可以提高MOS电容的抗击穿能力，降低漏电电流。
英文摘要	采用高真空MOCVD外延技术，利用TMA（Al(CH_3)_3）和O_2作为反应源，在Si(100)衬底上外延生长γ－Al_2O_3绝缘膜形成γ-Al_2O_3/Si异质结构材料。同时，引入外延后退火工艺以便改善γ-Al_2O_3薄膜的晶体质量及电学性能。测试结果表明，通过在O_2常压下的退火工艺可以有效地消除γ－Al_2O_3外延层的残余热应力及孪晶缺陷，改善外延层的晶体质量，同时可以提高MOS电容的抗击穿能力，降低漏电电流。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:55导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5042.pdf: 267981 bytes, checksum: 554505d62f60cb8bd94ccf2a34b01dfa (MD5) Previous issue date: 2002; 国家重点基础研究专项经费资助项目（No.G2 365）; 中科院半导体所材料科学中心;中国科学院半导体研究所微电子研究中心
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究专项经费资助项目（No.G2 365）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17991]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,王俊. 热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进[J]. 半导体学报,2002,23(11):1178-1181.
APA	王俊,&王俊.(2002).热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进.半导体学报,23(11),1178-1181.
MLA	王俊,et al."热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进".半导体学报 23.11(2002):1178-1181.