ne-Si:H薄膜的内应力特性研究 | |
韦文生 ; 王天民 ; 张春熹 ; 李国华 ; 韩和相 ; 丁琨 | |
刊名 | 功能材料与器件学报
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2003 | |
卷号 | 9期号:3页码:285-290 |
中文摘要 | 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的内应力。结果表明:nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在373-523K之间,掺硼nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc- Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。 |
英文摘要 | 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的内应力。结果表明:nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在373-523K之间,掺硼nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc- Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4867.pdf: 356108 bytes, checksum: 406f31aa7a3a2b5df58818525c88f055 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家863计划,教育部高等校博士点基金(2 22 6 37),北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目; 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家863计划,教育部高等校博士点基金(2 22 6 37),北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17667] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦文生,王天民,张春熹,等. ne-Si:H薄膜的内应力特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):285-290. |
APA | 韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和相,&丁琨.(2003).ne-Si:H薄膜的内应力特性研究.功能材料与器件学报,9(3),285-290. |
MLA | 韦文生,et al."ne-Si:H薄膜的内应力特性研究".功能材料与器件学报 9.3(2003):285-290. |
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