ne-Si:H薄膜的内应力特性研究

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	ne-Si:H薄膜的内应力特性研究
	韦文生 ; 王天民 ; 张春熹 ; 李国华 ; 韩和相 ; 丁琨
刊名	功能材料与器件学报
	2003
卷号	9 期号:3 页码:285-290
中文摘要	测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。
英文摘要	测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si：H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、 HRTEM研究了nc-Si：H薄膜的微结构，用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si：H薄膜的内应力。结果表明：nc-Si：H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关，强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加；在一定功率密度范围内掺磷nc-Si：H薄膜的压应力随功率密度增加而减少，并过渡为张应力；在373-523K之间，掺硼nc-Si：H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加；nc- Si：H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4867.pdf: 356108 bytes, checksum: 406f31aa7a3a2b5df58818525c88f055 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家863计划,教育部高等校博士点基金（2 22 6 37）,北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目; 北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心;北京航空航天大学光电技术研究所;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划,教育部高等校博士点基金（2 22 6 37）,北京航空航天大学博士生基础性研究基金项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17667]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韦文生,王天民,张春熹,等. ne-Si:H薄膜的内应力特性研究[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):285-290.
APA	韦文生,王天民,张春熹,李国华,韩和相,&丁琨.(2003).ne-Si:H薄膜的内应力特性研究.功能材料与器件学报,9(3),285-290.
MLA	韦文生,et al."ne-Si:H薄膜的内应力特性研究".功能材料与器件学报 9.3(2003):285-290.