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| 采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法 专利
专利号: CN201210062362.4, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-09-18
作者: 卢狄克 ; 李志刚; 刘瑞文; 陈大鹏; 尚海平
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| CMOS及其制造方法 专利
专利号: CN201210083460.6, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-10-23
作者: 殷华湘; 马小龙; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 小尺寸鳍形结构的制造方法 专利
专利号: CN201110261527.6, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-20
作者: 杨涛; 赵超; 李俊峰; 卢一泓
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| 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法 专利
专利号: CN201110149722.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2012-12-05
作者: 杨涛; 赵超; 李俊峰; 闫江; 陈大鹏
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| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
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| 一种非易失性存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201210026223.6, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-08-14
作者: 谢常青; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘明
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110298318.9, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-10
作者: 尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110297623.6, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-10
作者: 尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
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| 一种双鳍型半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110306988.0, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-04-17
作者: 朱慧珑; 尹海洲; 骆志炯
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| 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法 专利
专利号: CN201110264987.4, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2013-03-27
作者: 罗军; 赵超
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