一种半导体结构及其制造方法

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	一种半导体结构及其制造方法
	尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
	2015-11-25
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
专利号	CN201110298318.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供一种半导体结构，包括衬底、半导体鳍片、栅堆叠、源/漏区以及半导体基体，其中：所述半导体鳍片位于所述半导体基体之上，且与所述半导体基体相连接，所述半导体基体的两端与所述衬底相连接；所述栅堆叠覆盖所述半导体鳍片的中心部分、并延伸至所述衬底表面；所述源/漏区位于所述半导体鳍片的端部分；其中，位于所述半导体鳍片两侧的衬底中具有空腔，所述空腔中具有绝缘材料。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。通过将半导体鳍片下方的半导体基体与位于该半导体基体下方的衬底隔离开，不但有效地减小了所述半导体鳍片下方的衬底区域，还降低了半导体器件与衬底之间的漏电流，提高了半导体器件的性能。
公开日期	2013-04-10
申请日期	2011-09-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14327]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	尹海洲,朱慧珑,骆志炯. 一种半导体结构及其制造方法. CN201110298318.9. 2015-11-25.