采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法

	采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法
	卢狄克; 李志刚; 刘瑞文; 陈大鹏; 尚海平; 焦斌斌
	2015-12-09
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210062362.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法，硅基MEMS器件具有硅衬底，硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层，该方法包括以下步骤：对硅衬底的下表面进行机械抛光，在硅衬底的下表面形成有机械损伤层；先采用光刻胶覆盖于电路结构层上，接着使用硅腐蚀液去除机械损伤层，然后去除光刻胶；在去除了所述机械损伤层后的硅衬底的下表面生长抗KOH溶液腐蚀膜并将其图形化；最后采用水浴加热的KOH溶液完成湿法释放工艺。本发明利用现有设备、工艺流程简单、节约工艺时间、生产成本低廉，并与传统微细加工工艺兼容的采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放工艺，从而进一步提高生产效率。
公开日期	2013-09-18
申请日期	2012-03-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/15332]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卢狄克,李志刚,刘瑞文,等. 采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法. CN201210062362.4. 2015-12-09.