后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法

	后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法
	杨涛; 赵超; 李俊峰; 闫江; 陈大鹏
	2015-12-09
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110149722.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成多晶硅假栅结构以及测试结构；确定测试结构密度量测目标及误差范围；使用XRR设备测量测试结构的密度，判断多晶硅假栅是否完全移除。该技术可以有效监控多层薄膜的厚度和密度，具有快速量测，结果准确的优点，该技术在集成电路工业界的应用刚处于起步阶段，是一种很有发展潜力的晶圆工艺监控手段。依照本发明的量测方法，可以快速准确有效监控判断多晶硅假栅是否彻底移除，同时该量测方法对晶圆不会带来损伤。
公开日期	2012-12-05
申请日期	2011-06-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15632]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,赵超,李俊峰,等. 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法. CN201110149722.X. 2015-12-09.