低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法

	低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法
	罗军; 赵超
	2015-11-25
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110264987.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种在后栅工艺中有效降低了源漏接触电阻的MOSFET及其制作方法，包括：衬底、衬底上的由栅极介质层和栅极金属层构成的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙、衬底上的层间介质、源漏区上层间介质中的源漏接触塞、源漏区与源漏接触塞之间的金属硅化物，其特征在于：金属硅化物与源漏区的界面处具有掺杂离子的分凝区，栅极介质层位于栅极金属层下方以及侧面。依照本发明的有效降低源漏接触电阻的器件及其制造方法，在金属硅化物与掺杂源漏区之间的界面处具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，从而大大降低了源漏接触电阻，进一步提高了器件的性能。
公开日期	2013-03-27
申请日期	2011-09-08
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15615]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	罗军,赵超. 低源漏接触电阻MOSFETS及其制造方法. CN201110264987.4. 2015-11-25.