一种非易失性存储器及其制备方法 | |
谢常青; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘明 | |
2015-12-02 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201210026223.6 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法,该存储器包括:硅衬底;在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区;在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层;以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的隧穿氧化层、电荷存储层和电荷阻挡层构成,且该电荷存储层为金属纳米晶存储层。本发明提供的非易失性存储器及其制备方法,综合了高k材料和核壳型纳米晶的优点,该存储器具有高速低压,优良的保持特性和疲劳特性,可以有效提高器件的性能,具有工艺灵活,设备简单,成本低廉等优点。 |
公开日期 | 2013-08-14 |
申请日期 | 2012-02-07 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15502] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢常青,霍宗亮,朱晨昕,等. 一种非易失性存储器及其制备方法. CN201210026223.6. 2015-12-02. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论