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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2008    内容类型：期刊论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 国产VDMOS电离辐射环境中的敏感参数研究 期刊论文 核技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 3，613-615 作者:  刘刚;  蔡小五;  韩郑生;  陆江;  王立新 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/27 Vdmos  总剂量  电离辐照  功率mosfet   一种用于低中频GPS接收机的CMOS可编程放大器 期刊论文 微电子学与计算机, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 3，103-105 作者:  梁栋国;  叶青;  丘聪;  王晗 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 Gps接收机  Cmos工艺  直流偏置校正  带隙基准  可编程增益放大器   3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 4，2106-2109 作者:  陈普锋;  李志强;  黄水龙;  张海英;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/27 3ghz  Lc压控振荡器  相位噪声  自偏置电流源  互补-mos型集成电路   SOI LDMOSFET的背栅特性 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2148-2152 作者:  毕津顺;  宋李梅;  海潮和;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 绝缘体上硅 横向双扩散功率晶体管 背栅效应   考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 5，2270-2274 作者:  葛霁;  金智;  刘新宇;  程伟;  王显泰 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 载流子速度  耗尽层宽度  集电区渡越时间  Vbic模型   8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4，1864-1867 作者:  吴茹菲;  尹军舰;  刘会东;  张海英 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 X/ku波段  单刀双掷  开关  Gaas  Pin二极管   应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 5，1868-1872 作者:  毕晓君;  张海英;  陈立强;  黄清华 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/27 Td-scdma  功率放大器  Ingap/gaashbt  功率附加效率  邻近信道功率抑制比   基于0．35μm SiGe BiCMOS的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 5，827-831 作者:  张健;  陈立强;  李志强;  陈普峰;  张海英 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/27 Sige