SOI LDMOSFET的背栅特性

	SOI LDMOSFET的背栅特性
	毕津顺; 宋李梅; 海潮和; 韩郑生
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:11 页码:5，2148-2152
关键词	绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管背栅效应
ISSN号	0253-4177
英文摘要	在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性.背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响.相比于源体紧密接触结构,低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小,这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启.还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型,其包含前栅沟道,背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1802]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	毕津顺,宋李梅,海潮和,等. SOI LDMOSFET的背栅特性[J]. 半导体学报,2008,29(11):5，2148-2152.
APA	毕津顺,宋李梅,海潮和,&韩郑生.(2008).SOI LDMOSFET的背栅特性.半导体学报,29(11),5，2148-2152.
MLA	毕津顺,et al."SOI LDMOSFET的背栅特性".半导体学报 29.11(2008):5，2148-2152.