基于0．35μm SiGe BiCMOS的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计

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	基于0．35μm SiGe BiCMOS的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计
	张健; 陈立强; 李志强; 陈普峰; 张海英
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:5 页码:5，827-831
关键词	Sige
ISSN号	0253-4177
英文摘要	介绍了一个基于0．35μm SiGe BiCMOS工艺的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器．文章重新定义了压控振荡器工作区域．分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响．本文同时分析了CMOS和BIT压控振荡器设计思路的不同．本设计中，采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能．该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器．测试结果表明，当中心频率为2．5GHz时，在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc／Hz和-116dBc／Hz．工作电压为3V时，VCO核心电路的电流消耗为8mA．据我们所知，这是国内第一个采用SiGe BiCMOS工艺的差分压控振荡器．
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1894]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张健,陈立强,李志强,等. 基于0．35μm SiGe BiCMOS的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计[J]. 半导体学报,2008,29(5):5，827-831.
APA	张健,陈立强,李志强,陈普峰,&张海英.(2008).基于0．35μm SiGe BiCMOS的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计.半导体学报,29(5),5，827-831.
MLA	张健,et al."基于0．35μm SiGe BiCMOS的2．5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计".半导体学报 29.5(2008):5，827-831.