3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 回溯数据库（1992-2008年）

	3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器
	陈普锋; 李志强; 黄水龙; 张海英; 叶甜春
刊名	半导体学报
	2008
卷号	29 期号:11 页码:4，2106-2109
关键词	3ghz Lc压控振荡器相位噪声自偏置电流源互补-mos型集成电路
ISSN号	0253-4177
英文摘要	利用0.18μm CMOS工艺实现了一个全集成的工作于3GHz的低功耗、低相位噪声的压控振荡器,且带有自偏置电流源.通过对改进的电流源进行优化,在噪声与功耗之间达到了折中.该压控振荡器可工作于2.83至3.25GHz频段内,调谐范围达到13.8%.当工作于3.22GHz时,测得的相位噪声在1MHz频偏处为-111dBc/Hz.在1.8V电源电压下,核心模块消耗电流小于2mA.表明该电路适合5GHz的无线局域网接收机以及3.4至3.6GHz的全球微波互联接入（WiMAX）应用.
语种	中文
公开日期	2010-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1800]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈普锋,李志强,黄水龙,等. 3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器[J]. 半导体学报,2008,29(11):4，2106-2109.
APA	陈普锋,李志强,黄水龙,张海英,&叶甜春.(2008).3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器.半导体学报,29(11),4，2106-2109.
MLA	陈普锋,et al."3GHz低功耗低相位噪声的带自偏置电流源的LC压控振荡器".半导体学报 29.11(2008):4，2106-2109.